三星和英特爾的日子這兩年都不太好過。

三星2023年財報中，該年營業(yè)利潤為6.54萬億韓元，比上財年減少85%，利潤水平創(chuàng)下了15年來新低，尤其是三星的半導體部門，雖然在第四季度虧損收窄，但2023年三星半導體業(yè)務全年虧損仍高達14.88萬億韓元，作為對比，2022年同期盈利23.82萬億韓元，差距高達近40萬億韓元。

隔壁英特爾也沒好到哪里去，英特爾2023年營收為542.3億美元，較2022年的630.5億美元下跌14%，凈利潤為16.89億美元，相較2022年的80.14億美元暴跌78.92%。

要知道，三星和英特爾在進入最近幾年，一直在半導體市場里爭著第一和第二的位置，兩位當了二十余年的霸主，如今卻好像走在一條下坡路上。

是半導體下行周期使然，還是挑戰(zhàn)者在撼動它們曾經(jīng)牢不可破的城墻呢？還是半導體龍頭這個位置已經(jīng)被“詛咒”了？

AMD和英特爾

對于AMD來說，21世紀的頭十年表現(xiàn)得喜憂參半。

在AMD第二任CEO魯毅智的主導下，AMD選擇了自研AMD64架構，并于2003年推出面向服務器和工作站的Opteron (皓龍) 處理器、面向臺式電腦和筆記簿電腦的AMD速龍64處理器以及提供影院級別計算性能的速龍64 FX處理器，由于英特爾在安騰（Itianium）架構的判斷失誤，AMD一度在和英特爾處理器的競爭中占得上風。

但也是在魯毅智的主導下，2006年，AMD宣布以54億美元（以42億美元現(xiàn)金和5700萬股AMD普通股）并購顯卡廠商ATI，AMD市值此時市值僅有88億美元左右，為了湊夠42億美元現(xiàn)金，AMD還向摩根士丹利舉債借了25億美元，最終完成了這筆龐大的收購。

CPU+GPU的未來愿景看似美好，但勢單力薄的AMD很快就遇到了大難題，一邊是英特爾，一邊是英偉達，兩線作戰(zhàn)的AMD根本無力招架來自這兩家的迅猛攻勢，變賣各種部門，出售晶圓廠， K10、推土機、打樁機、壓路機，各類CPU架構層出不窮，但一直難有起色。

AMD的衰落，讓英特爾過上了好日子。2006年，AMD處理器在x86服務器市場的份額曾達25%，但到2014年，已縮減到不足3%，而英特爾此時幾乎壟斷了整個服務器市場。至于消費端，英特爾也占據(jù)了移動電腦芯片90%的市場份額，桌面電腦芯片83%的市場份額。

從2007年到2016年這十年時間，是英特爾大把收錢的時期，不管是毛利率還是凈利率都高于英偉達與AMD，這還是建立在它的營收規(guī)模遠大于其他兩家的基礎之上的，雖然英特爾錯過了手機芯片的風口，但它似乎光靠服務器和消費市場，就已經(jīng)能高枕無憂。

2009年至2012 年，英特爾在CPU方面大發(fā)神威，基本上將AMD趕出了服務器市場，英特爾也因此獲得了巨大的定價權和利潤權，OEM廠商們只能看英特爾的臉色過活。

這種躺著數(shù)錢的生活固然美好，但也帶來了新的問題，一旦有具備優(yōu)勢的競爭對手出現(xiàn)，被英特爾視為錢袋子的OEM就會轉投另一家廠商，這一伏筆早已埋下，即使英特爾沒有犯下10nm和7nm制程工藝上的失誤，高達97%的服務器市場份額也不會保持更長時間。

2017年2月22日，AMD新任CEO蘇姿豐在發(fā)布會上公布了自K8時代之后最令人印象深刻的處理器——銳龍，其中包括 1800X、1700X 和 1700三款處理器，在消費級市場打響了第一槍，雖然它們的性能沒有完全趕上英特爾，但卻有一個英特爾無法比擬的優(yōu)點——便宜，相同定位的銳龍只賣酷睿的一半價格，試問又有哪一位消費者不會心動呢？

同樣的情況出現(xiàn)在了服務器市場當中，AMD在2017年6月正式發(fā)布了面向服務器市場的第一代EPYC（霄龍）處理器，憑借多核設計、PCIe 擴展選項以及原始內存帶寬等優(yōu)勢，一掃此前在服務器市場的陰霾。

相較于紙面上的技術優(yōu)勢，主要 OEM 廠商在展會上對 AMD EPYC 的堅定支持，才讓更多人意識到，服務器市場的風向變了。蘇姿豐在發(fā)布會上與惠普執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理 Antonio Neri 共同展示了基于EPYC的新型惠普服務器以及與英特爾 Xeon 平臺相比在云服務、軟件定義存儲和數(shù)據(jù)分析方面的具體優(yōu)勢。

此外，戴爾/EMC服務器總裁兼總經(jīng)理 Ashley Gorakhpurwalla與AMD企業(yè)、嵌入式和半定制部門高級副總裁兼總經(jīng)理 Forrest Norrod還共同推出了戴爾/EMC PowerEdge 服務器，并展示了 AMD 的一些新安全加密虛擬化技術，以及 EPYC 在戴爾/EMC 第 14代PowerEdge 服務器中具有更高核心數(shù)和更靈活擴展選項的單插槽服務器優(yōu)勢。

不僅是惠普和戴爾，AMD還獲得了獨立硬件和軟件供應商的支持，如 SuperMicro、Xilinx、VMWare、Red Hat 和 Microsoft等也都紛紛加入其中，AMD從這場發(fā)布會開始，正式打響了服務器領域的反擊戰(zhàn)。

對英特爾來說，這幾乎是一個死局，在先進制程和移動市場上的失利雖然讓它感覺有些不爽，但在服務器市場上的節(jié)節(jié)敗退，才讓這位霸主真正感受到了痛徹心扉。

2021年2月，帕特·基辛格上任英特爾第八任CEO，經(jīng)歷了創(chuàng)始人戈登-摩爾（Gordon Moore）和安迪-格魯夫（Andy Grove）的他是一位技術老兵，他曾在英特爾推動了關鍵行業(yè)技術（如 USB 和 Wi-Fi）的創(chuàng)造，還在酷睿和至強系列中發(fā)揮了關鍵作用。

他提出了在四年內實現(xiàn)五個工藝節(jié)點的目標，未來將和臺積電和三星在先進制程代工市場中展開競爭，甚至可能有機會占據(jù)較大份額，但對于英特爾來說，隨著AMD和Arm的崛起，以及更多云服務廠商選擇自研芯片，過去它在服務器市場里躺著賺錢的時光，注定只能成為一種美好回憶。

現(xiàn)在的英特爾，想要恢復往日的輝煌，只能把希望寄托于AMD、英偉達和臺積電等對手的集體衰落，但這顯然是不可能的，即便是恢復該有的營收和盈利水平，也要付出更多的努力才行，就像數(shù)年前的AMD一樣，英特爾也要走一條漫長而又痛苦的荊棘之路。

三星和海力士

對比英特爾，三星半導體的業(yè)務要顯得更加駁雜，從手機處理器到代工廠，從影像傳感器到DRAM和NAND，龐大的帝國讓它一度超越英特爾，問鼎全球半導體市場。

如今的它卻節(jié)節(jié)敗退，甚至在內存市場上險些被SK海力士所超越，這背后當然有很多因素影響，如5nm制程代工的萎靡，以及獵戶座處理器設計的失敗，但最致命的恐怕還是HBM。

HBM的歷史可以追溯到十多年前，AMD在收購ATI后，開始研究更先進的顯存技術，當時的GDDR陷入到了內存帶寬和功耗控制的瓶頸，而AMD就打算用先進的TSV技術打造立體堆棧式的顯存顆粒，讓“平房”進化為“樓房”，通過硅中介層讓顯存連接至GPU核心，最后封裝到一起，實現(xiàn)顯存位寬和傳輸速度的提升。

當時AMD的合作伙伴就是SK海力士，經(jīng)過多年研發(fā)后，兩家廠商聯(lián)合推出了初代HBM產(chǎn)品，這一產(chǎn)品也被定為了JESD235行業(yè)標準，初代HBM的工作頻率約為1600 Mbps，漏極電源電壓為1.2V，芯片密度為2Gb（4-hi），帶寬達4096bit，遠超GDDR5的512bit。

新技術的誕生并非一帆風順，AMD后續(xù)在消費端顯卡里取消了HBM顯存，而海力士也沒有因為這一新內存標準而獲利，此時三星卻找到了機會，通過這一通用的行業(yè)標準，三星成為了英偉達Tesla P100顯卡中HBM2顯存的供應商，這也成了三星的高光時刻之一。

但三星在HBM上的優(yōu)勢并未保持多久，2021 年 10 月，海力士率先量產(chǎn)HBM的第四代產(chǎn)品——HBM3，截至目前，SK海力士幾乎包攬了英偉達的HBM3的供應，曾經(jīng)更快量產(chǎn)HBM2的三星，卻還沒有明顯的HBM3的供應表現(xiàn)。

問題出在了哪里呢？

原來在HBM這項技術上，三星和SK海力士各自采用不同的封裝方法。SK的選擇是回流焊成型底部填充 (MR-MUF) 方法，在烤箱中同時烘烤所有層，而三星則采用了熱壓縮非導電膜 (TC NCF) 技術，在每層之間用薄膜堆疊芯片。

SK海力士的 MR-MUF 技術可一次性封裝多層 DRAM。在 DRAM 下方，有用于連接芯片的鉛基“凸塊”，MR 技術涉及加熱并同時熔化所有這些凸塊以進行焊接。連接所有 DRAM 后，將執(zhí)行稱為 MUF 的工藝來保護芯片，通過注入一種以出色的散熱性而聞名的環(huán)氧密封化合物來填充芯片之間的間隙并將其封裝起來，然后通過施加熱量和壓力使組件變硬，從而完成 HBM。SK海力士將此過程描述為“像在烤箱中烘烤一樣均勻地施加熱量并一次性粘合所有芯片，使其穩(wěn)定而高效?！?/span>

三星的TC NCF被稱為“非導電薄膜熱壓”，與MR-MUF略有不同。其每次堆疊芯片時，都會在各層之間放置一層非導電粘合膜。該膜是一種聚合物材料，用于將芯片彼此隔離，并保護連接點免受沖擊。三星逐步降低了 NCF 材料的厚度，將其降至12層第五代 HBM3E的7微米 (μm)。三星表示：“這種方法的優(yōu)點是可以最大限度地減少隨著層數(shù)增加和芯片厚度減小而可能發(fā)生的翹曲，使其更適合構建更高的堆棧。”

但三星顯然出現(xiàn)了判斷失誤，TC NCF遠不如MR-MUF來得穩(wěn)定，據(jù)海外分析師表示，三星HBM3芯片的生產(chǎn)良率約為10%~20%，而SK海力士的HBM3良率可達60%~70%。

也有業(yè)內人士表示：“三星似乎在用于 HBM 封裝的 TC-NCF 工藝中面臨產(chǎn)能問題，僅僅因為他們在內存半導體領域的主導地位，就認為他們的技術天生就適用，這種想法已經(jīng)過時了。三星的HBM3E樣品的功耗是SK海力士的兩倍多，這些問題導致人們批評其性能相對于功耗太低?！?/span>

而路透社在5月24日報道也印證了這些問題，據(jù)知情人士稱，三星最新的HBM芯片尚未通過英偉達的測試，原因是存在發(fā)熱和功耗問題。這些問題不僅影響到了三星的 HBM3 芯片，也影響到這家韓國科技巨頭打算在今年推向市場的HBM3E 芯片。

韓國成均館大學化學工程系的權錫俊教授表示：“TSV（硅通孔）對于8層及以上的HBM封裝至關重要，但三星尚未妥善管理這一級別的量產(chǎn)質量控制，導致即使在12層時也會出現(xiàn)預期的挑戰(zhàn)?！彼a充道， “盡管三星的 TC-NCF 系列在理論上隨著多層的改進而有所改善，但實現(xiàn)高良率封裝仍然具有挑戰(zhàn)性，尤其是在更高的層數(shù)中?！?/span>

在市場判斷上的失誤很容易解決，但在技術路線上的失誤恐怕就沒那么容易糾正了，這也可能是三星5月21日宣布半導體部門緊急換帥的原因之一，新任負責人全永鉉之前就處理過SDI在三星Note7手機電池發(fā)熱起火的危機，讓有半導體經(jīng)驗的他來當救火隊員，算是一個相對合適的選擇。

另外，根據(jù) Merits Securities的數(shù)據(jù)，今年第一季度，SK海力士占據(jù)了59%的HBM市場份額，而三星電子占據(jù)了 37%，但三星占據(jù)這些市場份額并非是它的產(chǎn)品獲得了多少客戶的認可，而是海力士承載不了太多的HBM訂單。

在HBM上的失敗甚至導致了三星電子半導體部門內部出現(xiàn)了“SK海力士分包商”這樣的的自嘲說法?！坝泻芏嗳苏f，SK 海力士已經(jīng)成為 HBM 市場的全球主要供應商，而三星已經(jīng)淪落到只能接受 SK 海力士無法完成的多余訂單的境地，”三星 DS（設備解決方案）部門的一名員工說，“我經(jīng)常和同事們談論，昔日半導體強國的好日子已經(jīng)一去不復返了，缺乏領導力，無法解讀市場趨勢并為之做好準備，這才是問題所在。”

在各種有關三星HBM不行的消息漫天飛的當下，三星所發(fā)表的“正在按計劃順利進行”的聲明，多少顯得有些蒼白無力。

數(shù)十年來一直在內存中處于領導地位的三星，因技術的失誤而被海力士拉近了差距，甚至可能因此而導致衰落，隨著它的代工競爭對手臺積電與SK海力士簽署HBM相關協(xié)議，開始進軍內存半導體領域，這種危機感顯然會進一步加重。

在AI時代里， HBM這樣的定制內存成為了內存關鍵，即使是相對弱勢的美光，近兩年也開足了馬力追趕，曾經(jīng)在傳統(tǒng)的DRAM和NAND里叱咤風云的三星，卻顯得有些措手不及，它的好日子也已經(jīng)到頭了嗎？

寫在最后

這兩位半導體市場的霸主，一位折戟于服務器，一位敗走于HBM，倘若把時間倒退回2016年左右，那時的人們恐怕不會相信，它們竟然會犯下如此明顯的錯誤。

如何挽回損失，維持自己的霸主地位，這是擺在英特爾CEO和三星半導體事業(yè)部長面前的現(xiàn)實問題，不過在解決之前，如何保證不會重蹈覆轍，或許是兩家乃至更多半導體公司所需要思考的。

最后，多說一句，如果說半導體龍頭的位置真的被詛咒了，我開始為最近登頂?shù)挠ミ_擔憂了？